CSD88584Q5DC 40V 半桥 NexFET™ 电源模块

CSD88584Q5DC 40V 电源块是用于高电流电机控制应用的经优化设计,这些 应用包括手持无线园艺和电动工具等。该器件利用 TI 获得专利的堆叠裸片技术,以最大限度地减小寄生电感,同时在节省空间的热增强型 DualCool™5mm × 6mm 封装中提供完整的半桥。

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器特色产品

当系统在极端温度条件下运行,遇到负电压瞬变或在高电压隔离环境中运行时,TI 强健稳定的栅极驱动器可让您安心无忧。

CSD18541F5 60V N 通道 FemtoFET MOSFET

这款54mΩ、60V N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够最大限度减小许多空间受限类工业负载开关应用的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。

N 通道 FemtoFET MOSFET的新特性

FemtoFET 产品是当今市场上最小的低导通电阻功率 MOSFET。FemtoFET 使用基板栅格阵列 (LGA) 封装,这是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。这些 FemtoFET 非常适合移动手持终端、平板电脑以及任何需要节省板面空间和延长电池寿命的其他应用。